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In fisica dello stato solido, sigla di chemical vapour deposition, tecnica di deposizione in cui specie gassose reagiscono chimicamente per formare una o più fasi condensate e prodotti gassosi. Costituisce un processo di sintesi molto importante per ottenere materiali di alta purezza, in forma di polveri e cristalli, e per rivestimenti di substrati. In particolare, questi ultimi agiscono come seme cristallino, permettendo così la crescita di una struttura ordinata di un monocristallo. La tecnica è impiegata per applicazioni elettroniche, dove si ottengono film monocristallini di silicio per reazione del tetracloruro di silicio o del triclorosilano con idrogeno. L’accrescimento di film di diamante può essere ottenuto su silicio a partire da metano e idrogeno, a temperature non superiori a 1000 °C. Durante tale processo di deposizione si ha la crescita anche della grafite, che viene però rimossa selettivamente dalla grande quantità di idrogeno atomico presente.

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